最后编辑于: 2020-06-30 19:22 | 分类: 电子 | 标签: 晶体管 | 浏览数: 2428 | 评论数: 0
看了很多说法，感觉都没有对三极管饱和时内部载流子的流向分析说清楚…….
看来最基本的问题，深究起来才是最难的。
在网上苦苦寻觅，找到eet论坛中的一个问答(原帖已不可访问)回复，算是勉强可以回答我这个疑问吧，如下：
问题：晶体三极管饱和状态时，集电极电流Ic的实际方向是怎样的？ 发布时间：2010-3-26 上午8:49
双极型晶体三极管共射放大电路中，若三极管处于饱和状态时，集电极电流ic的实际方向是怎样的？以NPN型管子来说，共射放大电路时，若管子处于饱和状态时，集电极电流ic的实际方向是流入集电极c呢，还是流出c呢？书中共射输出特性曲线的ic始终为正值（饱和区也是），而ic的参考方向是取流入集电极c的，这就意味着管子饱和时，ic的实际方向也是流入c的。但是从另一方面来看，管子饱和时，集电结是正偏的，即：b极电位高于c极，相当于集电结的PN结加了一个正向电压，那么按照PN结的性质，ic的实际方向当然是流出c的，这与前面的结论（ic是流入c的）相矛盾。该如何解释这个矛盾呢？
第3楼 回复主题：晶体三极管饱和状态时，集电极电流Ic的实际方向是怎样的？ 发布时间：2010-3-31 下午10:43
作者：刘何时
很有意思的一个问题。必须微观分析晶体三极管才能准确解释。至少要用势垒、热扩散等概念。定量分析太难，要用量子力学。。。有时间再说。要知道目前所用电路分析定律是建立统计宏观基础上的！
第4楼 回复主题：晶体三极管饱和状态时，集电极电流ic的实际方向是怎样的？ 发布时间：2010-4-1 下午12:16
作者：刘何时
对NPN硅晶体三极管而言：
“Vce=Vbe≈0.7V”，是电路的一种特殊工作状态。理论上，一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和，Vce＜Vbe的状态则称为过饱和。当然，小功率BJT的饱和电压比大功率BJT的饱和电压要小，如小功率管可以小于0.4V，而大功率管则可以在1.0V以上。饱和压降值与三极管集电极电流大小相关，甚至于三极管所处的环境温度关系密切，但与晶体管功率容量无关。 Ib=Ibs时称临界饱和；Ib>>Ibs时称过饱和。
Ibs为临界饱和基极电流，Ics为临界饱和集电极电流。Ibs=Ics/β。
由于Ics≈Vcc/Rc；所以Ibs≈Vcc/βRc。
实际饱和条件:
a. 两个PN结正偏。
b. Ib=Vcc/βRc临界饱和；Ib>>Vcc/βRc过饱和， 发射极电压最低, 基极电压最高, 集电极次之. 基极电流是流入的, 集电极电流也是流入的, 只有发射极电流是流出的. 即：不会有从基极到集电极的电流！ (我觉得, 此说法值得商榷, Vcb从放大态的正值变化到饱和态的负值, 应该主要原因是由外部电路条件决定的, Vce = Vcb + Vbe = Vcc - Ic*R, 随着Ic的不断增大, Vce必然不断减小, 而由于Vbe在放大态到饱和态的变化过程中基本恒定不变, 则Vcb不断减小, 直到进入饱和态变为负值, Ic不再继续增大了.)注：扩散，全称分子扩散。在浓度差或其他推动力的作用下，由于分子、原子等的热运动所引起的物质在空间的迁移现象，是质量传递的一种基本方式。以浓度差为推动力的扩散，即物质组分从高浓度区向低浓度区的迁移，是自然界和工程上最普遍的扩散现象；以温度差为推动力的扩散称为热扩散；在电场、磁场等外力作用下发生的扩散，则称为强制扩散。
刘何时 编辑于 2010-4-1 下午 12:54